Der Speicherhersteller Hynix Semiconductor hat einen neuen DDR3-Chip entwickelt. Dieser verfügt über eine Kapazität von einem Gigabit und wird im 40-Nanometer-Verfahren produziert.
Wie das Unternehmen mitteilte, kann der Arbeitsspeicher mit einer maximalen Bandbreite von 2.133 Megabit pro Sekunde und verschiedenen Spannungen operieren. Die Massenproduktion des neuen Bauelements soll im dritten Quartal dieses Jahres aufgenommen werden.
Insgesamt habe man bereits deutliche Fortschritte bei der Umstellung auf 40-Nanometer-Verfahren gemacht, hieß es. Der Produktionsumfang liege hier bereits bei mehr als 50 Prozent der bisherigen 50-Nanometer-Fertigung. Der Einsatz dreidimensionaler Chip-Strukturen ermöglicht es dabei, das Auftreten von Leckströmen zu minimieren.
Die Ausweitung der 40-Nanometer-Produktion auf DDR3-Chips für mobile Anwendungen und den Grafik-Bereich wird derzeit geplant, so das Unternehmen. Aber auch Flash-Komponenten sollen bald auf diese Weise entstehen. Konkrete Termine gibt es hier jedoch noch nicht.
Quelle:
Wie das Unternehmen mitteilte, kann der Arbeitsspeicher mit einer maximalen Bandbreite von 2.133 Megabit pro Sekunde und verschiedenen Spannungen operieren. Die Massenproduktion des neuen Bauelements soll im dritten Quartal dieses Jahres aufgenommen werden.
Insgesamt habe man bereits deutliche Fortschritte bei der Umstellung auf 40-Nanometer-Verfahren gemacht, hieß es. Der Produktionsumfang liege hier bereits bei mehr als 50 Prozent der bisherigen 50-Nanometer-Fertigung. Der Einsatz dreidimensionaler Chip-Strukturen ermöglicht es dabei, das Auftreten von Leckströmen zu minimieren.
Die Ausweitung der 40-Nanometer-Produktion auf DDR3-Chips für mobile Anwendungen und den Grafik-Bereich wird derzeit geplant, so das Unternehmen. Aber auch Flash-Komponenten sollen bald auf diese Weise entstehen. Konkrete Termine gibt es hier jedoch noch nicht.
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