Samsung startet Produktion von PRAMs
Nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation werden Realität
Erscheinungsdatum: 27 September 2009
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Samsung hat tatsächlich mit der Massenproduktion von PRAMs (Phase Change Random Access Memory) mit 512 Megabit Kapazität begonnen. PRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die sich durch Merkmale wie hohe Performance und niedriger Leistungsverbrauch auszeichnet. Samsung erwartet, dass sich PRAMs als nichtflüchtige Speichertechnologie für Mobilgeräte nach und nach durchsetzen.
High-Density und High-Performance sind die wichtigsten Technologie-Anforderungen für Smart-Phones. Allerdings können diese Eigenschaften den Leistungsverbrauch von Geräten beachtlich erhöhen. Da die wesentlich vereinfachte Logik für den Datenzugriff bei PRAMs weniger Unterstützung durch DRAMs benötigt, wird die aufgenommene elektrische Energie effizienter genutzt. Beim Einsatz der PRAM-Technologie lässt sich die Batterielaufzeit eines Handys voraussichtlich um über 20 Prozent verlängern.
Das in 60-nm-Technologie produzierte 512-Mb-PRAM kann 64 Kiloworte in 80 ms löschen und ist damit über zehn Mal schneller als NOR-Flash-Memory. In Datensegmente von 5 MB kann PRAM Daten etwa sieben Mal schneller löschen und schreiben als NOR-Flash-Speicher. PRAM ist außerdem besser skalierbar als andere derzeit in der Entwicklung befindlichen Speicherarchitekturen und kombiniert die Geschwindigkeit von RAM mit den nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher.
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Nichtflüchtige Speicher der nächsten Generation werden Realität
Erscheinungsdatum: 27 September 2009
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Samsung hat tatsächlich mit der Massenproduktion von PRAMs (Phase Change Random Access Memory) mit 512 Megabit Kapazität begonnen. PRAM ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die sich durch Merkmale wie hohe Performance und niedriger Leistungsverbrauch auszeichnet. Samsung erwartet, dass sich PRAMs als nichtflüchtige Speichertechnologie für Mobilgeräte nach und nach durchsetzen.
High-Density und High-Performance sind die wichtigsten Technologie-Anforderungen für Smart-Phones. Allerdings können diese Eigenschaften den Leistungsverbrauch von Geräten beachtlich erhöhen. Da die wesentlich vereinfachte Logik für den Datenzugriff bei PRAMs weniger Unterstützung durch DRAMs benötigt, wird die aufgenommene elektrische Energie effizienter genutzt. Beim Einsatz der PRAM-Technologie lässt sich die Batterielaufzeit eines Handys voraussichtlich um über 20 Prozent verlängern.
Das in 60-nm-Technologie produzierte 512-Mb-PRAM kann 64 Kiloworte in 80 ms löschen und ist damit über zehn Mal schneller als NOR-Flash-Memory. In Datensegmente von 5 MB kann PRAM Daten etwa sieben Mal schneller löschen und schreiben als NOR-Flash-Speicher. PRAM ist außerdem besser skalierbar als andere derzeit in der Entwicklung befindlichen Speicherarchitekturen und kombiniert die Geschwindigkeit von RAM mit den nichtflüchtigen Eigenschaften von Flash-Speicher.
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